何謂半導(dǎo)體存儲器？

何謂半導(dǎo)體存儲器？

半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。

與磁盤和光盤裝置等相比，具有如下特點(diǎn)：

• 數(shù)據(jù)讀寫快
• 存儲密度高
• 耗電量少
• 耐震

關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。

1、按功能分為：

（1）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會隨之丟失。DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。

（2）只讀存儲器（ROM）特點(diǎn)：只讀存儲器的特點(diǎn)是只能讀出不能隨意寫入信息，在主板上的ROM里面固化了一個(gè)基本輸入/輸出系統(tǒng)，稱為BIOS（基本輸入輸出系統(tǒng)）。其主要作用是完成對系統(tǒng)的加電自檢、系統(tǒng)中各功能模塊的初始化、系統(tǒng)的基本輸入/輸出的驅(qū)動程序及引導(dǎo)操作系統(tǒng)。

2、按其制造工藝可分為：

（1）雙極型存儲器特點(diǎn)：運(yùn)算速度比磁芯存儲器速度約快 3個(gè)數(shù)量級，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使接口大為簡化。

（2）MOS晶體管存儲器特點(diǎn)：集成度高、容量大、體積小、存取速度快、功耗低、價(jià)格便宜、維護(hù)簡單。

3、按其存儲原理分為：

（1）靜態(tài)存儲器特點(diǎn)：需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩(wěn)定的保存信息。

（2）動態(tài)存儲器特點(diǎn)：超大容量的存儲技術(shù)，跟其它類型的存儲器相比，每兆比特的價(jià)格為最低。